重点实验室制订国际标准ISO 19383:2026（原子层沉积—原子层沉积前驱体的化学特性及规范）。随着纳米技术的快速发展，原子层沉积（ALD）技术凭借其厚度精准可控、薄膜均匀性优异以及三维保形覆盖能力强等本征优势，在半导体、光伏、柔性电子、微机电系统、催化及光学器件等前沿领域展现出日益广泛的应用前景。前驱体作为薄膜生长的核心反应源，其化学纯度、配体结构稳定性及杂质含量直接决定了沉积薄膜的质量、性能与器件可靠性。然而，长期以来国际范围内缺乏针对ALD前驱体品级的统一标准，导致材料评价体系碎片化，制约了薄膜工艺的可重复性与可比较性。该标准首次对前驱体的分类和金属纯度定级等进行系统规范，并建立了相应的标准化测试方法，不仅为ALD前驱体的质量评价提供了科学依据，也标志着ALD产业由经验探索迈入规范化、标准化发展的新阶段，对推动薄膜材料科学与微纳制造技术的协同进步具有重要的学术与工程意义。该项标准获安徽安德科铭半导体科技股份有限公司和安徽省重点研发计划标准化专项支持。

主要内容：

1. ALD前驱体的分类

（1）金属前驱体：金属卤化物、氢化物、醇盐、β-二酮类、烷基亚胺、烷基酰胺、脒基化合物、烷基化合物及环戊二烯基化合物等9大类。

（2）非金属前驱体：硅、硼、磷、砷、硒、碲等元素的氢化物、卤化物、烷基酰胺及烷氧化物等。

2. 纯度测试方法

金属有机前驱体的分析含量采用核磁共振氢谱（HNMR）结合热重分析（TGA）测定。非金属前驱体采用气相色谱（GC）分析。金属纯度通过电感耦合等离子体质谱（ICPMS）测定各金属杂质含量后加权扣除获得。阴离子（主要为氯）含量采用离子色谱（IC）测定。

3. ALD前驱体纯度的关键指标

以N值等级体系划分前驱体纯度，金属前驱体覆盖4N至6N，非金属前驱体扩展至8N级。